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英飛凌(Infineon)推出1200 V碳化矽MOSFET技術


訊息來源:電子工程專輯   日期:2018年5月11日

此次推出的新技術可提升產品設計的功率密度和效能表現,並有助電源轉換方案的開發人員節省空間、減輕重量、降低散熱需求,進一步提升可靠性和降低系統成本。

根據多年於碳化矽半導體的開發經驗,全新MOSFET採用先進的溝槽半導體製程,為英飛凌於CoolSiC系列產品上的最新突破。首款分離式1200 V CoolSiC MOSFET的導通電阻(RDS(ON))額定值為45 mΩ。此產品將採用3接腳和4接腳TO-247封裝,4接腳封裝上有個額外的源極連接端子,作為門極驅動的訊號接腳,以消除源極電感所導致的降壓影響,也有助於降低開關損耗,特別是在更高的開關頻率時。

此外,英飛凌還推出以碳化矽MOSFET技術為基礎的1200 V Easy1B半橋式與升壓器模組。其採用Press-FIT連接,具有良好的熱介面、低雜散電感和堅固的設計,每種封裝的模組均有11 mΩ和23 mΩ的RDS(ON)額定值。

英飛凌的CoolSiC MOSFET採用溝槽技術,可靠性高且效能優良,同時也降低了動態損耗,相較於1200V(Si)IGBT有明顯降低。該MOSFET對於通常應用於驅動IGBT+15 V/-5 V電壓完全相容,其結合了4V基準閾值額定電壓(Vth)、目標應用要求的短路穩健度和可完全管控的dv/dt電壓,與矽IGBT相較下,其優勢包括低溫度係數的開關損耗和無閾值電壓的靜態特性。

這些電晶體如同IGBT一樣易於控制,在發生故障時得以安全地關閉,此外,英飛凌碳化矽MOSFET技術可以透過柵極電阻調節改變開關速度,因此能提升電磁相容(EMC)的效能。

目前主要在改善太陽能光伏逆變器、不斷電(UPS)或充電∕儲能系統等應用系統的階段,此後可將其範圍擴大到工業變頻器。


 


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