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英飞凌(Infineon)推出1200 V碳化矽MOSFET技术


讯息来源:电子工程专辑   日期:2018年5月11日

此次推出的新技术可提升产品设计的功率密度和效能表现,并有助电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热需求,进一步提升可靠性和降低系统成本。
根据多年于碳化矽半导体的开发经验,全新MOSFET采用先进的沟槽半导体制程,为英飞凌于CoolSiC系列产品上的最新突破。首款分离式1200 V CoolSiC MOSFET的导通电阻(RDS(ON))额定值为45 mΩ。此产品将采用3接脚和4接脚TO-247封装,4接脚封装上有个额外的源极连接端子,作为门极驱动的讯号接脚,以消除源极电感所导致的降压影响,也有助于降低开关损耗,特别是在更高的开关频率时。
此外,英飞凌还推出以碳化矽MOSFET技术为基础的1200 V Easy1B半桥式与升压器模组。其采用Press-FIT连接,具有良好的热介面、低杂散电感和坚固的设计,每种封装的模组均有11 mΩ和23 mΩ的RDS(ON)额定值。
英飞凌的CoolSiC MOSFET采用沟槽技术,可靠性高且效能优良,同时也降低了动态损耗,相较于1200V矽(Si)IGBT有明显降低。该MOSFET对于通常应用于驱动IGBT的+15 V/-5 V电压完全相容,其结合了4V基准阈值额定电压(Vth)、目标应用要求的短路稳健度和可完全管控的dv/dt电压,与矽IGBT相较下,其优势包括低温度系数的开关损耗和无阈值电压的静态特性。
这些电晶体如同IGBT一样易于控制,在发生故障时得以安全地关闭,此外,英飞凌碳化矽MOSFET技术可以透过栅极电阻调节改变开关速度,因此能提升电磁相容(EMC)的效能。
目前主要在改善太阳能光伏逆变器、不断电(UPS)或充电∕储能系统等应用系统的阶段,此后可将其范围扩大到工业变频器。
 


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