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英飞凌逆导IGBT 650V电压品提供更佳能效


讯息来源:电子工程专辑   日期:2014年6月17日

英飞凌科技(Infineon Technologies)针对谐振应用扩充最新一代逆导 IGBT
──内建单片整合 RC 二极管的全新 650V 产品,此举意谓高效能的 RC-H5
系列产品现在可以运用于更广泛的应用范围。全新离散式 RC-H5 650V 功率半导体是多炉电磁炉及变频微波炉应用的完美选择,也适用于所有部份硬式切换半桥拓朴。
如同所有的 RC-H5 系列,新推出的的离散式 650V 功率半导体也比前世代产品拥有更卓越的能源效率。切换损耗进一步降低30%,让设计人员可以使用高达 40kHz 的切换频率工作。整体而言,全新设计离散式功率半导体具有更好的能源效率特性,可让整体系统节省 5% 的能源消耗。
 
除了绝佳的能源效率以外,采用 RC-H5 650V 产品作业的系统,由于增加的阻断电压,可靠度也大幅提升,提供更多的设计裕度。650V 产品能够依据要求提供软式或硬式切换,不仅使用上更加灵活,同时整体系统也有较低的应变。新产品更佳的 EMI 特性所需的过滤较小,为迅速及软式切换系统带来显著的优势。此外,优化的散热性能即使在高达 175℃ 的芯片温度下作业也不会故障。
 
英飞凌IGBT 功率离散式组件营销协理 Roland Stele 表示:电磁炉在家电应用中拥有巨大的节能潜力。英飞凌推出全新分离式 RC-H5 650V产品,扩充家电应用范围,协助客户开发出只需较少资源就能达到高度可靠性的系统。
 
全新的 RC-H5 产品提供 20A、40A 及 50A 的电流类别,将于 2014 年 6 月供应样品模型及量产。RC-H5 系列产品搭配精简型驱动器 IC EiceDRIVER 1EDL 及 2EDL Compact 与XMC 1000/4000 系列微控制器,可以达到最佳结果。



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