"產品介紹
1. 產品溫升、熱逃逸性能優異；2. 芯片參數穩定，一致性優異；3. 採用環保物料，符合RoHS標準。

產品特點
1.正向壓降低；2.反向漏電小；3.具備穩定的長期可靠性能力；4.異形材半包封結構，散熱能力強"

"產品介紹
1.利用P-Channel MOSFET的電性特點，可以簡化高端（High-side）MOSFET應用的驅動電路，如負載開關、DC-DC、電機驅動等; 2.揚傑電子具有較為完善的P-Channel MOSFET產品系列，包含電壓範圍-15V~-100V，TO系列、DFN系列、SOP系列、SOT系列等多種封裝形式; 3.揚傑電子是國內較早推出SGT工藝的P-Channel MOSFET產品的供應商，充分利用SGT優異的開關特性和低阻抗特性，使P-channel MOSFET性能達到最優。

產品特點
1.P-Channel MOSFET簡化了高端（High-side）MOSFET應用的驅動電路; 採用先進的SGT工藝，使P-channel MOSFET具有優異的開關特性和低阻抗特性; PDFN5X6、DFN3.3X3.3、SOP-8、TO-220、TO-263、TO-252等多種封裝形式可選"

"產品介紹
1.揚傑電子針對儲能、BMS電池管理、電機驅動等領域，推出全新的N-80V SGT 產品； 2.採用揚傑科技SGT特殊工藝製程，根據電機驅動和電池管理應用要求，優化導通內阻（Rdson)和柵極電荷（Qg)性能，降低導通損耗和開關損耗，提升系統效率，同時改善產品的EAS能力，提高了系統的可靠性； 3.揚傑科技針對電機驅動和電池管理應用，推出80V系列產品，包含PDFN5060，TO-263，TO-220等封裝形式。

產品特點
1.採用揚傑科技SGT特殊工藝製程設計，具有更高的工藝穩定性和可靠性2.系列產品具有更快的開關速度，更小的柵電荷和更高的應用效率。3.PDFN5060、TO-220、TO-263等多種封裝形式可選"

"產品介紹
1、採用FRD芯片進行封裝，芯片採用平面注入工藝，表面鈍化，有良好的高溫特性，穩定的Qrr值，提高了產品的承受能力與可靠性； 2、有著較高的反向擊穿電壓（VB=600V~1200V），較強的耐受能力，相對於其他高壓產品有更短的恢復時間（Trr=30ns~60ns），更高效率； 3、有著更低的正向壓降（VF）與反向漏電（IR），意味著產品有著更小的損耗； 4、採用環保物料，符合RoHS標準。

產品特點
1、正向壓降VF與反向漏電IR較低； 2、正向浪湧能力強； 3、低功耗，高效率； 4、封裝工藝環保； 5、高溫耐受性。"

"產品介紹
1、電壓600V~1200V,電流50A~400A，主要應用於變頻器、UPS、焊機等工控市場； 2、目前有34mm、62mm的半橋和SOT-227封裝的一單元製動模板； 3、使用進口芯片，芯片參數穩定，一致性好，便於客戶並聯使用； 4、產品採用環保物料，符合RoHS標準。

產品特點
1、工作結溫-40℃~175℃； 2、開關速度快； 3、飽和壓降低； 4、軟關斷特性； 5、短路承受能力強。"

"產品介紹
1、大電流25A-50A， 主要用於大功率適配器，充電樁，空調等行業； 2、GPP芯片，框架結陶，產品一致性優異； 3、採用環保物料， 符合RoHS標準。

產品特點
1、工作結溫：-55℃～150℃； 2、產品背面自帶散熱片，熱阻低， 降低發熱，提高產品穩定性； 3、封裝類型豐富，具有多種封裝類型，滿足不同應用需求。"

"產品介紹:
IGBT PIM 產品電壓有P2、P3兩款封裝外形， 1200V，電流10A~35A； 2、產品主要用於電動驅動器、交直流伺服驅動放大器和不間斷電源； 3、IGBT PIM產品芯片參數穩定，一致性優異； 4、IGBT PIM產品採用環保物料，符合RoHS標準。
產品特點:
1、最大工作結溫175℃； 2、低開關損耗； 3、低飽和壓降，正溫度係數； 4、具有超快速和軟恢復特性的續流二極管； 5、高短路電流能力（10us以上）； 6、飽和壓降低，減少工作損耗； 7、使用DBC結構的絕緣性散熱底板。"