F1.1-PIM
額定電壓: 650V
額定電流: 15A
電路結構: PJ=3 Phase Rectifier + Brake + 3 Phase Open Emitter Output
晶片系列: X=Trench FS IGBT, Low Loss
產品編號:GD15PJX65F1S

C1.0-Half Bridge
額定電壓: 1200V
額定電流: 150A
電路結構: HF=Half Bridge
晶片系列: Y=Advanced Trench FS IGBT, Low Loss
產品編號:GD150HFY120C1S

L2.2-PIM
額定電壓: 650V
額定電流: 10A
電路結構: PJ=3 Phase Rectifier + Brake + 3 Phase Open Emitter Output
晶片系列: X=Trench FS IGBT, Low Loss
產品編號:GD10PJX65L2S

1200V/10A PIM in one-package
特徵
低 VCE(sat) 溝槽 IGBT 技術
10μs短路能力
VCE(sat) 具有正溫度係數
最高結溫175oC
低電感案例
快速軟反向恢復反並行FWD
採用 DBC 技術的隔離散熱器

C1.0-Half Bridge
額定電壓: 650V
額定電流: 150A
電路結構: HF=Half Bridge
晶片系列: X=Trench FS IGBT, Low Loss
產品編號:GD150HFX65C1S

C1.0-Half Bridge
額定電壓: 1200V
額定電流: 100A
電路結構: HF=Half Bridge
晶片系列: Y=Advanced Trench FS IGBT, Low Loss
產品編號:GD100HFY120C1S
http://www.powersemi.cc/hchi_admin/upfile/GD100HFY120C1S.pdf

C6.3.PIM
額定電壓: 1200V
額定電流: 100A
電路結構: PIM
晶片系列: Y Trench IGBT Low Power
產品編號:GD100PIY120C6SN

可變電阻

可變電阻

可變電阻

Hard switching IGBT, TO-247, 1200V, 25A